如何区分IGBT管和MOS管
为电子维修人员来说IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOS（场效应管）管在电路中是常见的两种电子元器件。今天我根据平时维修时所见到的这两种器件来说说如何区分IGBT管和MOS管。
首先从这两种电子元器件上的标识区别
我们知道电子元器件上所标的型号是有一D含义的，因此我们可以根据他们身上所标的符号含义来区别哪个是绝缘栅双极型晶体管（IGBT），哪个是场效应管（MOS）。首先我们可以根据场效应晶体管（MOS管）的型号命名和标注方法识别，在大量的维修案例中我总结出了场效应管的三种命名规则，###种是场效应管按照四部分方式命名的，###部分是极性数；第二部分是所用的材料，比如D代表P型硅，反型层N沟道，C是N型硅，反型层P沟道；第三部分是场效应管的类型；###后就是代表了场效应管的规格号了。
第三种是按照场效应管的漏极（D）电流、沟道、耐压值等来命名的，并且在前面还有前缀，一般用字母表示，它主要是对场效应管进行区分。比如2N80B，这个2表示漏极电流是2A，N表示场效应管是N沟道的，如果是P，那就表示是P沟道的了，80表示了耐压值，它表示栅极（G）和源极（S）之间的击穿电压Vdss等的耐压值。
2、绝缘栅晶体管（IGBT）的识别
对于绝缘栅晶体管（IGBT）从外观看也是可以识别的，我在维修电磁炉和变频器主板时常常会看到中小功率的IGBT管，这些电路主板上所用的IGBT管子大多都是国外的，在电磁炉中常见的有德国西门子产的IGBT、日本东芝的、美国IR的以及韩国三星的IGBT为主，比如我###常见的IGBT型号有H20R120系列的绝缘栅晶体管（IGBT）。这些管子每个厂家命名方法不同，它们的型号也是完全不同的，这需要积累。总的来说由于IGBT和MOS管在外观上看有时很相似，只要知道了型号，一般可以通过网络查询是能识别出来哪个是IGBT管哪个是MOS管的。
MOS管与IGBT的特点
我们知道MOS管和IGBT管都是电压型控制器件，它们的输入电阻都很高，所以栅极电流都很小，其驱动功率都小，驱动电路可以做的很简单。不同的是对于场效应（MOS）管来说，有的MOS管它的漏极D和源极S可以互换使用，在使用上比较灵活，而绝缘栅双极晶体管IGBT从制作结构来说要比MOS管复杂一些，从等效图可以看出，它可以等效一个由PNP三极管和增强型NMOS管组合而成的功率晶体管，如下图所示。
第三个优点也就是我刚才讲的它的耐击穿电压很高，其工作安全区大，在瞬间的高电压和大电流下IGBT不容易损坏；###后一点就是IGBT工作频率很高，开关速度很快，可以达到100KHZ，因此在逆变器上常会看到IGBT管。总之，MOS管和IGBT管外观虽然很相似，但是它们的秉性是不一样的，我们在平时使用时要注意它们的结构特点，并仔细观察测量，是很容易区分的
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