驱动电路的驱动能力如何分析?

驱动方面,关注它的动态特性,也就是开关特性;还有它的静态特性,就是稳态电平。从静态和动态方面出发,驱动有以下几点需要特别注意:

其一,稳态电平幅值,你得看一下你使用的开关管,比如mosfet,你设计流过它的电流Id是多少,因为像mosfet这类电压型的开关器件,门极电压Vgs和通过主体漏极电流Id是跨导(g)关系,这个跨导就像咱们三极管的电流放大倍数一个道理,所以首先满足Id=Vgs*g也就是你的电平,这里还要注意你的有效Vgs,它是你的实际电平减去这类管子的开通阈值(开通阈值或门槛电压用Vth表示,有效电平=实际电平—Vth);


其二,动态峰值电流能力,驱动芯片必须要满足给门极充电的能力,尤其是瞬态的峰值电流,Ipeak=门极电平/驱动电阻,如果你的单片机没有这个峰值电流能力,那么我们知道,瞬态大电流和单片机驱动口内阻乘积就是电压,这就是驱动能力不足,导致门极充放电变慢,开关速度异常,还有就是你的单片机会发热;

其三,开关管驱动功率消耗,我们知道理想的电压型开关并不需要驱动功率,但是实际当中,像mosfet存在门极电容(Cgs)和米勒电容(Cgd或Crss),这些电容通过驱动电阻充放电都是要消耗功率的,所以你的单片机还得需要一D的驱动功率能力才行,驱动功率P=驱动电压*工作频率*电容的电荷量(这里包括了门极电容和米勒电容总电荷,通常在数据手册里成为Qg),驱动功率意味着驱动芯片,像单片机会产生功耗,也就是发热的问题。

单片机可以驱动,后面加三极管推挽的作用就是满足稳态电平和动态驱动能力的要求。

你用单片机直接驱动未尝不可,但只需要满足以上静态和动态的需求即可。

首页 > 电气仪表 > 日期:2022-6-25 来源:Net 作者:yq 浏览量: